Page Not Found - Forum Akademickie

Błąd 404 - Strona o podanym adresie nie istnieje





Nano¶wiat zachowuje siê zupe³nie inaczej ni¿ ten, który nas otacza i do którego jeste¶my przyzwyczajeni. Co chwilê zaskakuje nas ró¿nymi fascynuj±cymi w³asno¶ciami i zjawiskami, na pierwszy rzut oka pozostaj±cymi w sprzeczno¶ci z intuicj± i z naszym rozumieniem fizyki.

Atom za atomem

Mariusz Krawiec, Mieczys³aw Ja³ochowski

Z pewno¶ci± ma³o kto zechcia³by zrezygnowaæ z mo¿liwo¶ci, jakie oferuje nowoczesna elektronika. Dzi¶ trudno wyobraziæ sobie ¿ycie bez telewizji, telefonów komórkowych, Internetu czy po prostu komputerów. Powrót do maszyny do pisania z papierem przebitkowym (kto jeszcze pamiêta, do czego s³u¿y³?) by³by z pewno¶ci± niemi³ym zaskoczeniem. A aparat cyfrowy, odtwarzacz DVD, ultrasonograf lub tomograf? Czy¿ nie wros³y w nasze ¿ycie? To, ¿e te urz±dzenia staj± siê coraz sprawniejsze, dok³adniejsze, spe³niaj± coraz wiêcej skomplikowanych funkcji i potrzebuj± mniej energii, wynika przede wszystkim z postêpuj±cej miniaturyzacji elementów elektronicznych i wykorzystania nowych w³asno¶ci nowych materia³ów.

Nowe prawa

Procesory u¿ywane w naszych komputerach, w których ¶cie¿ki przewodz±ce ³±cz± miliardy tranzystorów, maj± szeroko¶æ 65 nanometrów. Co wiêcej, potrafimy przeprowadzaæ eksperymenty na pojedynczych moleku³ach czy nawet na pojedynczych atomach. Potrafimy manipulowaæ nimi i budowaæ uk³ady o rozmiarach nanometrów. Przyk³adem mog± byæ tranzystory jednoelektronowe, w których sterujemy przep³ywem pr±du pomiêdzy emiterem a kolektorem na poziomie pojedynczego elektronu. Ma to ogromne znaczenie w budowie wszelkiego typu uk³adów scalonych w elektronice. Urz±dzenie takie u¿ywa pr±dów o bardzo ma³ym natê¿eniu, a co za tym idzie wydziela mniej ciep³a, które trzeba w jaki¶ sposób odprowadziæ z uk³adu.

Ca³y ten postêp technologiczny mo¿liwy by³ dziêki intensywnej i wytrwa³ej pracy naukowców, przede wszystkim fizyków, którzy staraj± siê zrozumieæ budowê, zjawiska i funkcjonowanie ¶wiata w skali nanometra. Nano¶wiat zachowuje siê zupe³nie inaczej ni¿ ten, który nas otacza i do którego jeste¶my przyzwyczajeni. Co chwilê zaskakuje nas ró¿nymi fascynuj±cymi w³asno¶ciami i zjawiskami, na pierwszy rzut oka pozostaj±cymi w sprzeczno¶ci z intuicj± i z naszym rozumieniem fizyki.

Prawa fizyki klasycznej w ujêciu Newtonowskim, które dobrze stosuj± siê do przedmiotów i zjawisk nas otaczaj±cych, za³amuj± siê ca³kowicie w nano¶wiecie. Do opisu obiektów o tak ma³ych rozmiarach nale¿a³o zweryfikowaæ pojêcia i prawa fizyki klasycznej, co w rezultacie doprowadzi³o do sformu³owania mechaniki kwantowej, nowych praw fizyki, które wprowadzaj± kilka rewolucyjnych wrêcz zmian w pojêciowym i matematycznym opisie nanoobiektów. Wprowadzono pojêcie kwantu (porcji) energii, co oznacza, ¿e uk³ad mo¿e przyjmowaæ tylko ¶ci¶le okre¶lone dyskretne warto¶ci energii. Co wiêcej, okaza³o siê, ¿e w pewnych eksperymentach cz±stki materialne (np. elektrony) zachowuj± siê jak zwyk³e cz±stki, natomiast w innych jak fale.

Podobne stwierdzenie na temat fal te¿ okaza³o siê prawdziwe. Np. ¶wiat³o czy ogólnie fale elektromagnetyczne w pewnych sytuacjach zachowuj± siê jak dobrze zdefiniowane fale, a w innych jak strumieñ cz±stek (fotonów). Jest to dobrze znana ze szko³y ¶redniej hipoteza de Broglie’ego. Wprowadzono pojêcie funkcji falowej opisuj±cej dany obiekt, której kwadrat modu³u okre¶la prawdopodobieñstwo znalezienia cz±stki w danym punkcie przestrzeni w danej chwili. Równanie ruchu (II zasadê dynamiki) Newtona zast±piono równaniem Schrödingera do funkcji falowej. Odkryto wiele zjawisk czysto kwantowych, które nie maj± odpowiedników w fizyce klasycznej. Jako sztandarowy przyk³ad mo¿e pos³u¿yæ efekt tunelowy, w którym cz±stka znajduj±ca siê w pewnym obszarze ograniczonym przez barierê potencja³u (np. elektron w ograniczaj±cym polu elektrycznym) mo¿e siê z niego wydostaæ. Mo¿na to sobie wyobraziæ na przyk³adzie cz³owieka stoj±cego na zboczu góry i chc±cego siê przedostaæ na jej drug± stronê. Z punktu widzenia fizyki klasycznej, cz³owiek musia³by wej¶æ na wierzcho³ek góry i wtedy dopiero przedostaæ siê na drug± stronê. Mechanika kwantowa mówi natomiast, ¿e wcale nie trzeba wchodziæ na wierzcho³ek góry. Mo¿na przetunelowaæ, czyli znale¼æ ³atwiejsz± drogê (co¶ w rodzaju tunelu) do celu. Pozwala na to wspomniana wcze¶niej funkcja falowa. Okazuje siê, ¿e je¶li bariera potencja³u (nasza góra) nie jest zbyt szeroka, to ogony funkcji falowej rozci±gaj± siê nawet poza obszar bariery, a to oznacza, ¿e istnieje niezerowe prawdopodobieñstwo znalezienia cz±stki po drugiej stronie bariery. Efekt tunelowy jest obecnie szeroko wykorzystywany w wielu urz±dzeniach, jak np. wspomniane wcze¶niej tranzystory jednoelektronowe.

Narzêdzia nanotechnologii

Odkrycie zjawiska tunelowego doprowadzi³o równie¿ do skonstruowania urz±dzenia pozwalaj±cego badaæ nasz ¶wiat w skali nanometrów, nawet z rozdzielczo¶ci± atomow±, tzn. pozwalaj±c± obserwowaæ pojedyncze atomy czy moleku³y. Takim urz±dzeniem jest, po raz pierwszy zbudowany na pocz±tku lat 80. ubieg³ego wieku, skaningowy mikroskop tunelowy (STM). Ogólnie mówi±c, STM sk³ada siê z ostrej sondy skanuj±cej, zazwyczaj zakoñczonej pojedynczym atomem, i próbki, której powierzchniê chcemy badaæ. Pomiêdzy próbkê i sondê przyk³adamy napiêcie i mierzymy pr±d tunelowy. Sonda przemieszcza siê nad badan± powierzchni± (skanuje j±) i w rezultacie otrzymujemy mapê (topografiê) powierzchni próbki. Za pomoc± STM mo¿na tak¿e badaæ lokalne w³asno¶ci elektronowe (strukturê pasmow±) powierzchni, zatrzymuj±c sondê nad wybranym miejscem na powierzchni i zmieniaj±c napiêcie rejestrowaæ pr±d tunelowy. Urz±dzenie to jest obecnie szeroko wykorzystywane w fizyce powierzchni jako ¼ród³o nieocenionych informacji o strukturze powierzchni i w³asno¶ciach elektronowych ró¿nych materia³ów z rozdzielczo¶ci± subnanometrow±. Jedyn± wad± jest to, i¿ badana powierzchnia musi mieæ charakter metaliczny, aby móg³ pop³yn±æ pr±d tunelowy.

Ale i na to znaleziono radê. Powsta³ skaningowy mikroskop si³ atomowych (AFM), który potrafi tworzyæ równie dobre obrazy topograficzne powierzchni z rozdzielczo¶ci± atomow±. Podstaw± jego dzia³ania jest niezmiernie s³abe, ale mierzalne oddzia³ywanie pomiêdzy pojedynczymi atomami. Atomy mog± siê przyci±gaæ, gdy s± do¶æ daleko od siebie, b±d¼ odpychaæ, gdy s± obok siebie. Stan równowagi, który zachodzi wówczas, gdy odleg³o¶æ pomiêdzy atomami jest sporo mniejsza ni¿ 1 nm, oznacza utworzenie wi±zania atomowego, które utrzymuje atomy i cz±steczki w postaci kryszta³ów, szkie³ czy te¿ cieczy. W mikroskopie AFM wykorzystuje siê te s³abiutkie si³y atomowe, aby okre¶liæ po³o¿enie ostrza (sondy, najlepiej z pojedynczym atomem na koñcu) nad powierzchni±, a przez to, podobnie jak w przypadku mikroskopu STM, stworzyæ mapê powierzchni.

Obydwa mikroskopy, STM i AFM, sta³y siê podstawowymi narzêdziami pracy w laboratoriach fizyków cia³a sta³ego. Z pewno¶ci± niezwyk³e mo¿liwo¶ci tych urz±dzeñ nieraz jeszcze doprowadz± nas do odkryæ nowych zjawisk w nanostrukturach. Dalsza miniaturyzacja elementów elektronicznych i zwi±zany z tym ju¿ teraz rewolucyjny postêp technologiczny od nich zale¿y.

£añcuchy na brzegach tarasów

Warto pokazaæ jedno z zagadnieñ nowoczesnej fizyki nanostruktur i rolê mikroskopu STM w poznawaniu ich w³asno¶ci. W Zak³adzie Fizyki Powierzchni i Nanostruktur Instytutu Fizyki UMCS prowadzimy badania nanoobiektów z wykorzystaniem skaningowego mikroskopu tunelowego. W ostatnich kilku latach uwagê nasz± przyci±gnê³y struktury jednowymiarowe wytwarzane na powierzchniach wicynalnych krzemu. Bardzo ogólnie mówi±c, powierzchnie wicynalne sk³adaj± siê z równomiernie roz³o¿onych tarasów o sta³ej szeroko¶ci, podobnie jak zwyk³e schody. Powstaj± one poprzez odpowiednie przeciêcie kryszta³u krzemu pod niewielkim k±tem od kierunku o wysokiej symetrii. Tak powstaj± ostatnio badane w naszym zak³adzie powierzchnie oznaczane w tzw. wska¼nikach Millera: (335), (557), (779) i (11 11 13). Wska¼niki Millera s± wygodnym zapisem kierunków i p³aszczyzn krystalograficznych w fizyce cia³a sta³ego, a ogólnie mówi±c, im wiêksze wska¼niki, tym szersze tarasy i tym mniejszy k±t miêdzy dan± p³aszczyzn± a p³aszczyzn± o wysokiej symetrii. W rzeczywisto¶ci jednak powierzchnie te nie s± stabilne z powodu du¿ych naprê¿eñ powierzchniowych i niewysyconych wi±zañ krzemu na powierzchni.

Okazuje siê jednak, ¿e po dodaniu niewielkiej ilo¶ci innego pierwiastka (np. z³oto, srebro, o³ów, ind) zachodzi rekonstrukcja powierzchni i w rezultacie powierzchnia staje siê bardzo dobrze uporz±dkowana. Tak jest np. w przypadku na³o¿enia 0,28 monowarstwy z³ota na nieuporz±dkowan± powierzchniê Si (335) i podgrzania jej w doskona³ej pró¿ni do temperatury bliskiej 1000°C (rys. 1). Taka procedura powoduje, ¿e w komórce elementarnej (najmniejszej czê¶ci, która – odk³adana jedna obok drugiej – utworzy kryszta³) znajduje siê dok³adnie jeden atom Au. Atomy krzemu na brzegach tarasów tworz± ³añcuchy monoatomowe o d³ugo¶ci rzêdu dziesi±tek nanometrów. Oczywi¶cie, w idealnym przypadku ³añcuchy te powinny mieæ d³ugo¶æ równ± rozmiarowi próbki. W rzeczywisto¶ci jednak, z powodu ró¿nych niedoskona³o¶ci kryszta³u, zanieczyszczeñ czy niedok³adnej warto¶ci k±ta uciêcia, ³añcuchy te s± krótsze. Dodatkowo s± dobrze odseparowane od siebie na odleg³o¶æ równ± szeroko¶ci tarasu, co powoduje, ¿e s± to rzeczywi¶cie struktury jednowymiarowe.

Te jednowymiarowe ³añcuchy monoatomowe wykazuj± bardzo interesuj±ce i ciekawe w³asno¶ci elektronowe, np. podwojenie okresu oscylacji gêsto¶ci ³adunku wzd³u¿ takiego ³añcucha. Wiemy, ¿e odleg³o¶æ pomiêdzy atomami krzemu tworz±cymi ³añcuch na brzegu tarasu wynosi a = 0,38 nanometra, natomiast obraz topograficzny uzyskany za pomoc± STM sugeruje, i¿ te atomy s± oddalone od siebie o 2a, czyli o 0,76 nanometra. Dochodzimy wiêc do sprzeczno¶ci. W rzeczywisto¶ci jednak wszystko jest w porz±dku. Atomy s± po³o¿one w odleg³o¶ci a od siebie, a podwojenie okresu, widziane w topografii STM, wynika z kwantowo−mechanicznych w³asno¶ci atomów tworz±cych ³añcuch.

Oscylacja gêsto¶ci ³adunku

Jak ju¿ wspomnieli¶my wcze¶niej, mechanika kwantowa u¿ywa funkcji falowych do opisu w³asno¶ci obiektów. Po³o¿enie ka¿dego atomu z osobna mo¿e byæ opisane tak± w³a¶nie funkcj± falow±. Je¿eli te atomy s± znacznie oddalone od siebie, to reprezentuj±ce je maksima kwadratów modu³ów funkcji falowych odpowiadaj± rzeczywistym po³o¿eniom atomów. Je¿eli natomiast atomy s± blisko siebie, tak jak w rozwa¿anym przypadku, to „czuj±”, ¿e maj± s±siadów, czyli oddzia³ywaj± ze sob±. W jêzyku mechaniki kwantowej oznacza to, ¿e funkcje falowe atomów tworz±cych ³añcuch przekrywaj± siê. Mamy wiêc do czynienia z czym¶ w rodzaju interferencji, czyli wzmacniania i wygaszania siê fal. W³a¶nie to zjawisko jest odpowiedzialne za podwojenie okresu oscylacji gêsto¶ci ³adunku, widziane w topografii STM. Co wiêcej, okazuje siê, ¿e okres ten mo¿e mieæ inn± warto¶æ, tzn. gêsto¶æ ³adunku mo¿e oscylowaæ z okresem 2, 3, 4..., w zale¿no¶ci od kszta³tu i sposobu przekrywania siê funkcji falowych, które, ogólnie mówi±c, zale¿± od warto¶ci energii poziomów atomowych danego pierwiastka i od odleg³o¶ci miêdzy atomami. W przypadku krzemu zwykle okres ten jest dwa razy wiêkszy ni¿ odleg³o¶æ miêdzy atomami.

Inn± ciekaw± w³asno¶ci± jest to, ¿e oscylacje gêsto¶ci ³adunku zale¿± od przy³o¿onego napiêcia, a ¶ci¶le rzecz bior±c – od znaku napiêcia pomiêdzy sond± STM a próbk± z powierzchni± Si (335). Przy ujemnym napiêciu ³añcuch widziany w obrazie topograficznym STM wydaje siê d³u¿szy o 2 sta³e sieciowe, czyli o 0,76 nanometra, ni¿ przy napiêciu dodatnim. Je¶li przy napiêciu ujemnym widzimy co drugi atom, pocz±wszy od pierwszego atomu w ³añcuchu (1, 3, 5...), to przy zmianie napiêcia na dodatnie widzimy równie¿ co drugi atom, ale pocz±wszy od drugiego atomu w ³añcuchu (2, 4, 6...). Oczywi¶cie, w rzeczywisto¶ci sytuacja nie jest tak prosta, gdy¿ te oscylacje gêsto¶ci ³adunku, jak wcze¶niej dyskutowali¶my, zale¿± od poziomów energetycznych atomów tworz±cych ³añcuch, jak równie¿ od odleg³o¶ci miêdzy tymi atomami. Jednak zwykle jest tak, ¿e przy zmianie napiêcia na przeciwne zmienia siê równie¿ topografia STM ³añcucha, ale mo¿liwa jest te¿ taka sytuacja, kiedy zmiana znaku napiêcia nie wp³ywa na obraz topograficzny ³añcucha, tzn. przy obydwu polaryzacjach (dodatniej i ujemnej) w topografii STM ³añcucha nic siê nie zmienia. Tak jest w przypadku jednego z ³añcuchów na powierzchni wicynalnej krzemu o wska¼nikach Millera (557).

Powierzchniê (557) krzemu otrzymuje siê, podobnie jak dyskutowan± wcze¶niej Si (335), poprzez odpowiednie przeciêcie kryszta³u krzemu pod k±tem nieco mniejszym ni¿ poprzednio. W tym przypadku tarasy maj± szeroko¶æ 1,92 nanometra, a ilo¶æ z³ota potrzebna do powstania stabilnej rekonstrukcji wynosi 0,20 monowarstwy. Obraz topograficzny otrzymany za pomoc± STM pokazuje dwa ró¿ne ³añcuchy na tej powierzchni (rys. 2). Jeden, podobny do obserwowanego na powierzchni Si (335), znajduj±cy siê równie¿ na brzegu tarasu i wykazuj±cy zmianê zachowania przy ró¿nych polaryzacjach napiêcia oraz drugi, w którym gêsto¶æ ³adunku nie zale¿y od zmiany znaku napiêcia. Ten ostatni ³añcuch jest zbudowany z atomów z³ota lub, co bardziej prawdopodobne, z atomów krzemu (adatomów) le¿±cych na tej powierzchni. Takie zachowanie spowodowane jest ró¿nymi warto¶ciami poziomów energetycznych atomów tworz±cych ³añcuchy czy inaczej mówi±c – innym przekrywaniem siê funkcji falowych atomów ³añcucha.

Pasma energetyczne

Aby lepiej zrozumieæ naturê takiego zachowania siê ³añcuchów przy badaniu skaningowym mikroskopem tunelowym, wygodnie jest odwo³aæ siê do pojêcia gêsto¶ci stanów elektronowych. Gêsto¶æ stanów jest wielko¶ci± mówi±c±, ile jest dostêpnych stanów energetycznych elektronów w nieskoñczenie ma³ym przedziale energii na jednostkê objêto¶ci. W przypadku, gdy np. mamy jeden izolowany atom z jednym elektronem, gêsto¶æ stanów bêdzie mia³a ostry wierzcho³ek przy energii równej warto¶ci poziomu energetycznego tego atomu. W stanie takim mog± siê znale¼æ dwa elektrony z ró¿nym spinem. W przypadku wiêkszej liczby takich samych atomów znajduj±cych siê w bliskiej odleg³o¶ci od siebie (oddzia³uj±cych ze sob±), liczba wierzcho³ków bêdzie równa liczbie tych atomów. Mimo ¿e wszystkie atomy maj± takie same warto¶ci poziomów energetycznych, to ze wzglêdu na oddzia³ywanie poziomy te bêd± rozszczepione (odseparowane), a warto¶ci tych rozszczepieñ zale¿± od oddzia³ywania pomiêdzy atomami, czyli od przekrywania siê funkcji falowych. Je¶li mamy bardzo du¿± liczbê atomów w uk³adzie, to z tych dyskretnych poziomów powstaj± ca³e pasma energetyczne, tak jak w przypadku cia³ sta³ych.

Wracaj±c do ró¿nego zachowania siê obrazów topograficznych ³añcuchów na powierzchni Si (557) pod wp³ywem przy³o¿onego napiêcia, z przeprowadzonych rozwa¿añ teoretycznych wynika, ¿e w przypadku ³añcucha niewykazuj±cego zmian topografii wraz ze zmian± polaryzacji, gêsto¶æ stanów posiada wierzcho³ek dok³adnie na poziomie Fermiego uk³adu (w przypadku metali poziom Fermiego jest energi± najwy¿ej obsadzonego stanu energetycznego elektronu), a gêsto¶æ stanów jest w przybli¿eniu symetryczna wzglêdem tego poziomu. Aby obliczyæ pr±d tunelowy, który jest ¶ci¶le zwi±zany z topografi± powierzchni, nale¿y zsumowaæ gêsto¶æ stanów w przedziale energii od poziomu Fermiego do energii odpowiadaj±cej przy³o¿onemu napiêciu. W przypadku symetrycznej gêsto¶ci stanów warto¶æ ta nie zale¿y od znaku napiêcia. Zmieni siê tylko kierunek pr±du tunelowego, natomiast warto¶æ bêdzie taka sama. Je¶li natomiast gêsto¶æ stanów ma charakter niesymetryczny wzglêdem poziomu Fermiego, to oczywi¶cie zarówno kierunek, jak i warto¶æ pr±du tunelowego bêd± zale¿eæ od polaryzacji. W ten sposób, bardzo obrazowo, mo¿na wyja¶niæ ró¿ne zachowanie siê topografii STM badanych ³añcuchów na powierzchni (557) krzemu.

Opisane, doskonale uporz±dkowane powierzchnie wicynalne, których charakterystyczn± cech± s± regularnie roz³o¿one ³añcuchy atomowe, mog± s³u¿yæ jako matryce, na których mo¿na bêdzie wytwarzaæ inne struktury jednowymiarowe. Tak jest np. w przypadku ³añcuchów atomów o³owiu na powierzchni Si (335)/Au, wytwarzanych i badanych tak¿e w ZFPiN. £atwo mo¿na sobie wyobraziæ, ¿e manipuluj±c szeroko¶ci± tarasów oraz w³asno¶ciami fizycznymi i chemicznymi nanostruktur wytwarzanych na takich tarasach, mo¿na bêdzie stworzyæ pod³o¿a selektywnie reaguj±ce na wybrane moleku³y, wirusy b±d¼ bakterie. W konsekwencji, byæ mo¿e uda siê stworzyæ gamê ró¿norakich czujników.

Dr Mariusz Krawiec jest adiunktem w Zak³adzie Fizyki Powierzchni i Nanostruktur Instytutu Fizyki UMCS. Prof. dr hab. Mieczys³aw Ja³ochowski jest specjalist± w dziedzinie metalicznych struktur niskowymiarowych, kieruje Zak³adem Fizyki Powierzchni i Nanostruktur Instytutu Fizyki UMCS.
Page Not Found - Forum Akademickie

Błąd 404 - Strona o podanym adresie nie istnieje

Page Not Found - Forum Akademickie

Błąd 404 - Strona o podanym adresie nie istnieje